存儲芯片高低溫熱沖擊設備的測試要求

在存儲芯片的生產制造過程中，需要進行各種可靠性試驗，其中高低溫沖擊試驗就是一項重要的測試項目，下面，我們結合實際測試要求，來看看存儲芯片的高低溫熱沖擊試驗是怎么做的。

存儲芯片高低溫熱沖擊試驗流程：

試驗設備：環儀儀器 存儲芯片高低溫熱沖擊試驗箱

試驗條件：

高溫80℃：30min

低溫-40℃：30min

轉換時間：高溫和低溫變化在5min內完成

試驗評價方法：

1.在(新 MODEL)新產品開發階段(DVT)，實施 100CYCLE 試驗之后，決定下期階段進行可能與否。

2.(量產 MODEL)市場及工程發生品質問題時，生產技術科內部選定另外 MODEL實施，試驗 CYCLE 基準在1次100CYCLE 試驗實施之后，確認無異常時，進行2 次 100 CYCLE 延長試驗

3.在試驗之前，檢查樣品的表面狀態。

設備參數：

以上就是存儲芯片的高低溫熱沖擊試驗要求，如有試驗疑問，可以咨詢環儀儀器相關技術人員。